In Situ Detection of Surface SiH(n) in Synchrotron-Radiation-Induced Chemical Vapor Deposition of a-Si on an SiO(2) Substrate

The sensitivity and linearity of infrared reflection absorption spectroscopy (IRAS) has been significantly improved by using a buried-metal-layer (BML) substrate having an SiO(2)(15 nm)/Al(200 nm)/Si(100) structure, instead of a plain Si(100) substrate. By applying this BML-IRAS technique to the in...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of synchrotron radiation. - 1994. - 2(1995), Pt 4 vom: 01. Juli, Seite 196-200
1. Verfasser: Yoshigoe, A (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Nagasono, M, Mase, K, Urisu, T, Seki, S, Nakagawa, Y
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Journal of synchrotron radiation
Schlagworte:Journal Article