Integration of coplanar (Ba,Sr)TiO3 microwave phase shifters onto Si wafers using TiO2 buffer layers

In this paper, a Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) tunable phase shifter with TiO2 films as microwave buffer layer between BST and silicon (Si) substrates is presented. The TiO2 buffer layer is grown by atomic layer deposition (ALD) onto Si substrate followed by pulsed laser deposition (PLD) of BST thin films on...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control. - 1986. - 53(2006), 3 vom: 11. März, Seite 518-24
1. Verfasser:	Kim, Ki-Byoung (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Yun, Tae-Soon, Lee, Jong-Chul, Kim, Hyun-Suk, Kim, Ho-Gi, Kim, Il-Doo
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2006
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control
Schlagworte:	Journal Article