High-performance field-effect transistors based on Langmuir-Blodgett films of cyclo[8]pyrrole

We demonstrate the field-effect transistors (FETs) made of cyclo[8]pyrrole thin films prepared by the Langmuir-Blodgett (LB) method. The cyclo[8]pyrrole molecule possesses a 30-pi-electron system and narrower highest-occupied molecular orbital-lowest-unoccupied molecular orbital energy gap (0.63 eV)...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 21(2005), 12 vom: 07. Juni, Seite 5391-5
1. Verfasser:	Xu, Hai (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Yu, Gui, Xu, Wei, Xu, Yu, Cui, Guanglei, Zhang, Deqing, Liu, Yunqi, Zhu, Daoben
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2005
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:	Journal Article