On the effect of ion implantation in the microstructure of GaN an XAFS study

On the effect of ion implantation in the microstructure of GaN : an XAFS study

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of synchrotron radiation. - 1998. - 6(1999), Pt 3 vom: 01. Mai, Seite 552-4
1. Verfasser: Katsikini, M (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Bollmann, J, Masselink, W T, Paloura, E C
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1999
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Journal of synchrotron radiation
Schlagworte:Journal Article