The optically active center of Er-doped Si produced by laser ablation

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of synchrotron radiation. - 1994. - 6(1999), Pt 3 vom: 01. Mai, Seite 477-9
1. Verfasser: Ishii, M (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Komuro, S, Morikawa, T, Aoyagi, Y, Oyanagi, H, Ishikawa, T, Ueki, T
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1999
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Journal of synchrotron radiation
Schlagworte:Journal Article
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM149467702
003 DE-627
005 20231223051802.0
007 tu
008 231223s1999 xx ||||| 00| ||eng c
028 5 2 |a pubmed24n0498.xml 
035 |a (DE-627)NLM149467702 
035 |a (NLM)15263351 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Ishii, M  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 4 |a The optically active center of Er-doped Si produced by laser ablation 
264 1 |c 1999 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ohne Hilfsmittel zu benutzen  |b n  |2 rdamedia 
338 |a Band  |b nc  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 16.05.2005 
500 |a Date Revised 20.07.2004 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
650 4 |a Journal Article 
700 1 |a Komuro, S  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Morikawa, T  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Aoyagi, Y  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Oyanagi, H  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ishikawa, T  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ueki, T  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Journal of synchrotron radiation  |d 1994  |g 6(1999), Pt 3 vom: 01. Mai, Seite 477-9  |w (DE-627)NLM09824129X  |x 1600-5775  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:6  |g year:1999  |g number:Pt 3  |g day:01  |g month:05  |g pages:477-9 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_40 
912 |a GBV_ILN_350 
912 |a GBV_ILN_2005 
951 |a AR 
952 |d 6  |j 1999  |e Pt 3  |b 01  |c 05  |h 477-9