X-ray-excited optical luminescence of impurity atom in semiconductor

We observed the x-ray-excited optical luminescence (XEOL) of erbium-doped silicon (Si:Er) thin films to make a site-selective x-ray absorption fine structure (XAFS) measurement of an optically active Er atom. The undulator beam was used for the increment of the electron population in the excited sta...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of synchrotron radiation. - 1994. - 8(2001), Pt 2 vom: 01. März, Seite 372-4
1. Verfasser:	Ishii, M (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Tanaka, Y, Komuro, S, Morikawa, T, Aoyagi, Y, Ishikawa, T
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2001
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Journal of synchrotron radiation
Schlagworte:	Journal Article