Properties of the As-related shallow acceptor level in heteroepitaxial ZnSe grown by molecular-beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 48(1993), 15 vom: 15. Okt., Seite 10885-10892
1. Verfasser: Zhang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Skromme, Shibli, Tamargo
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1993
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article