Dangling-bond relaxation and deep-level measurements in hydrogenated amorphous silicon
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 48(1993), 12 vom: 15. Sept., Seite 8667-8671 |
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| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1993
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |