Well-width and aluminum-concentration dependence of the exciton binding energies in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells

Well-width and aluminum-concentration dependence of the exciton binding energies in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 47(1993), 23 vom: 15. Juni, Seite 15755-15762
1. Verfasser: Gurioli (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Martinez-Pastor, Colocci, Bosacchi, Franchi, Andreani
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1993
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article