Raman study of interface phonons in GaAs/AlAs quantum wells : Resonance with the e2-h2 exciton

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 46(1992), 11 vom: 15. Sept., Seite 7196-7199
1. Verfasser: Fu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Schmiedel, Petrou, Dutta, Newman, Stroscio
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1992
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article