Surface-acoustic-wave study of defects in GaAs grown by molecular-beam epitaxy at 220 degreesC

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 45(1992), 8 vom: 15. Feb., Seite 4258-4265
1. Verfasser: Khachaturyan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Weber, White
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1992
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article
Beschreibung
Beschreibung:Date Revised 20.11.2019
published: Print
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:0163-1829