Quasi-parity-conserving octahedral model for (H,Be) and (D,Be) tunneling complexes in silicon

Quasi-parity-conserving octahedral model for (H,Be) and (D,Be) tunneling complexes in silicon

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 43(1991), 15 vom: 15. Mai, Seite 12507-12511
1. Verfasser: Artacho (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Falicov
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1991
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article