Dissociation kinetics of hydrogen-passivated (111) Si-SiO2 interface defects
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 42(1990), 6 vom: 15. Aug., Seite 3444-3453 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1990
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |