Potential fluctuations due to inhomogeneity in hydrogenated amorphous silicon and the resulting charged dangling-bond defects
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 42(1990), 12 vom: 15. Okt., Seite 7420-7428 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1990
|
| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |