Measurement of the occupation lengths of channeled 17-MeV electrons and 54-MeV electrons and positrons in silicon by means of channeling radiation

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 40(1989), 7 vom: 01. Sept., Seite 4249-4263
1. Verfasser: Kephart (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Pantell, Berman, Datz, Park, Klein
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1989
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article