Exciton fine structure in undoped GaN epitaxial films

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 53(1996), 24 vom: 15. Juni, Seite 16543-16550
1. Verfasser:	Volm (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Oettinger, Streibl, Kovalev, Ben-Chorin, Diener, Meyer, Majewski, Eckey, Hoffmann, Amano, Akasaki I, Hiramatsu, Detchprohm
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	1996
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:	Journal Article