Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology

Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 53(1996), 15 vom: 15. Apr., Seite 9959-9963
1. Verfasser: Appenzeller (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Schroer, Schäpers, Hart, Förster, Lengeler, Lüth
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1996
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article