Donor levels and the microscopic structure of the DX center in n-type Si-doped AlxGa0.51-xIn0.49P grown by molecular-beam epitaxy

Donor levels and the microscopic structure of the DX center in n-type Si-doped AlxGa0.51-xIn0.49P grown by molecular-beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 53(1996), 12 vom: 15. März, Seite 7851-7862
1. Verfasser: Mäkinen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Laine, Partanen, Saarinen, Hautojärvi, Tappura, Hakkarainen, Asonen, Pessa, Kauppinen, Vänttinen, Paalanen, Likonen
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1996
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article