Exciton localization by potential fluctuations at the interface of InGaAs/GaAs quantum wells

Exciton localization by potential fluctuations at the interface of InGaAs/GaAs quantum wells

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 53(1996), 11 vom: 15. März, Seite 7421-7425
1. Verfasser: Martelli (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Polimeni, Patanè, Capizzi, Borri, Gurioli, Colocci, Bosacchi, Franchi
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1996
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article