High-quality epitaxial growth of gamma -alumina films on alpha -alumina sapphire induced by ion-beam bombardment

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 52(1995), 24 vom: 15. Dez., Seite 17518-17522
1. Verfasser: Yu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: McIntyre, Nastasi, Sickafus
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article