High-quality epitaxial growth of gamma -alumina films on alpha -alumina sapphire induced by ion-beam bombardment
Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 52(1995), 24 vom: 15. Dez., Seite 17518-17522 |
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Format: | Aufsatz |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
1995
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Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
Schlagworte: | Journal Article |