Properties of intrinsic point defects in silicon determined by zinc diffusion experiments under nonequilibrium conditions

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 52(1995), 23 vom: 15. Dez., Seite 16542-16560
1. Verfasser: Bracht (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Stolwijk, Mehrer
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article