Experimental determination of the conduction-band offset at GaAs/Ga1-xAlxAs heterojunctions with the use of ballistic electrons

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 52(1995), 20 vom: 15. Nov., Seite 14693-14698
1. Verfasser: Forchhammer (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Veje, Tidemand-Petersson
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article