Photoluminescence of excitons bound to the isoelectronic hydrogen-related defects B80(1.1470 eV) and B191(1.1431 eV) in silicon
Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 51(1995), 8 vom: 15. Feb., Seite 4882-4888 |
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Format: | Aufsatz |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
1995
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Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
Schlagworte: | Journal Article |