Photoluminescence of excitons bound to the isoelectronic hydrogen-related defects B80(1.1470 eV) and B191(1.1431 eV) in silicon

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 51(1995), 8 vom: 15. Feb., Seite 4882-4888
1. Verfasser: Kaminskii (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lavrov, Karasyuk, Thewalt
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article