Pressure-induced Hall-effect spectroscopy of silicon DX states in planar doped GaAs-AlAs superlattices

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 51(1995), 23 vom: 15. Juni, Seite 16778-16784
1. Verfasser: Sellitto (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Sicart, Robert, Planel
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article