Spatially indirect transitions due to coupling between a hole accumulation layer and a quantum well in resonant-tunneling diodes

Spatially indirect transitions due to coupling between a hole accumulation layer and a quantum well in resonant-tunneling diodes

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 51(1995), 20 vom: 15. Mai, Seite 14745-14748
1. Verfasser: Van Hoof C (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Genoe, Portal, Borghs
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article
Beschreibung
Beschreibung:Date Revised 20.11.2019
published: Print
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:0163-1829