Electron-energy-loss investigation of hole-plasmon excitation due to thermal indiffusion boron doping of Si(111) surfaces

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 50(1994), 24 vom: 15. Dez., Seite 18134-18141
1. Verfasser: Chen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Rowe, Yates Jr
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1994
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article
Beschreibung
Beschreibung:Date Revised 20.11.2019
published: Print
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:0163-1829