Evidence from electrical transport and photoluminescence spectroscopy of a band of localized deep donors in high-purity n-type InP grown by chemical-beam epitaxy
Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 50(1994), 23 vom: 15. Dez., Seite 16964-16972 |
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Format: | Aufsatz |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
1994
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Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
Schlagworte: | Journal Article |