Evidence from electrical transport and photoluminescence spectroscopy of a band of localized deep donors in high-purity n-type InP grown by chemical-beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 50(1994), 23 vom: 15. Dez., Seite 16964-16972
1. Verfasser: Benzaquen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Charbonneau, Poole, Rao, Lacelle, Roth, Leonelli
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1994
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article