Erratum Metal-insulator transitions in doped silicon and germanium

Erratum : Metal-insulator transitions in doped silicon and germanium

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 39(1989), 8 vom: 15. März, Seite 5475
1. Verfasser: Ferreira da Silva A (VerfasserIn)
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1989
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article