Structure of the 0.767-eV oxygen-carbon luminescence defect in 450 degreesC thermally annealed Czochralski-grown silicon
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 39(1989), 18 vom: 15. Juni, Seite 13327-13337 |
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| 1. Verfasser: | |
| Weitere Verfasser: | , , |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1989
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |