Metastable paramagnetism in hydrogenated amorphous silicon Evidence for a new class of defects in tetrahedrally bonded amorphous semiconductors

Metastable paramagnetism in hydrogenated amorphous silicon : Evidence for a new class of defects in tetrahedrally bonded amorphous semiconductors

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 36(1987), 5 vom: 15. Aug., Seite 2965-2968
1. Verfasser: Lee (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Ohlsen, Taylor
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1987
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article