Uniaxial stress study of photoluminescence defects created by noble-gas implantation into silicon
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 35(1987), 8 vom: 15. März, Seite 3804-3809 |
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| Weitere Verfasser: | , , , |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1987
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |