Quantum Hall effect in In0.53Ga0.47As-InP heterojunctions with two populated electric subbands

Quantum Hall effect in In0.53Ga0.47As-InP heterojunctions with two populated electric subbands

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 33(1986), 6 vom: 15. März, Seite 3990-3993
1. Verfasser: Guldner (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Vieren, Voos, Delahaye, Dominguez, Hirtz, Razeghi
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1986
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article
Beschreibung
Beschreibung:Date Revised 20.11.2019
published: Print
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:0163-1829