Plasmon-phonon-assisted electron-hole recombination in Si at very high carrier density

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 33(1986), 2 vom: 15. Jan., Seite 1166-1176
1. Verfasser: Rasolt (VerfasserIn)
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1986
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article