Donorlike excited states of the thermally induced 0.767-eV (P line) defect in oxygen-rich silicon

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 31(1985), 8 vom: 15. Apr., Seite 5561-5564
1. Verfasser: Wagner (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Dörnen, Sauer
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1985
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article