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1
Boltzmann Switching MoS2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Enabled by Monolithic-Oxide-Gapped Metal Gates at the Schottky-Mott Limit
von
Kim, Yeon Ho
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
Weitere Verfasser:
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Jeong
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Yeonsu
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2
Negative Photoresponse Switching via Electron-Hole Recombination at The Type III Junction of MoTe2 Channel/SnS2 Top Layer
von
Jeong
,
Yeonsu
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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3
Efficient Photon Extraction in Top-Emission Organic Light-Emitting Devices Based on Ampicillin Microstructures
von
Kim, Dong Hyun
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2022)
Weitere Verfasser:
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...
Jeong
,
Yeonsu
...
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