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All-Epitaxial Self-Assembly of Silicon Color Centers Confined Within Sub-Nanometer Thin Layers Using Ultra-Low Temperature Epitaxy
von
Aberl, Johannes
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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“
...
Gali
,
Ádám
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2
Enhancement of X-ray-Excited Red Luminescence of Chromium-Doped Zinc Gallate via Ultrasmall Silicon Carbide Nanocrystals
von
Beke, Dávid
Veröffentlicht in:
Chemistry of materials : a publication of the American Chemical Society
(2021)
Weitere Verfasser:
“
...
Gali
,
Adam
...
”
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3
Bright Room-Temperature Single-Photon Emission from Defects in Gallium Nitride
von
Berhane, Amanuel M
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2017)
Weitere Verfasser:
“
...
Gali
,
Adam
...
”
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4
Surface-Mediated Energy Transfer and Subsequent Photocatalytic Behavior in Silicon Carbide Colloid Solutions
von
Beke, David
Veröffentlicht in:
Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
(2017)
Weitere Verfasser:
“
...
Gali
,
Adam
...
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Journal Article
cubic inclusions
deterministic position control
epitaxy
gallium nitride wafer
narrow linewidth
point defects
quantum light sources
self‐assembly
silicon color centers
single-photon sources
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