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Journal Article
1
electron-phonon coupling
1
gallium nitride
1
single-layer molybdenum disulfide
1
substrate engineering
1
valley helicity
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Auteur
Titre
1
Epitaxial Single-Layer MoS2 on GaN with Enhanced Valley Helicity
par
Wan, Yi
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
Sujets:
“
...misc
single
-
layer
molybdenum
disulfide
...
”
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