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Suggestion de sujets: VRA0C6810N
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Suggestion de sujets: VRA0C6810N
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CH46OC8YV4 3 Gallium 3 Journal Article 3 Research Support, Non-U.S. Gov't 3 VRA0C6810N gallium nitrate 3 045A6V3VFX 1 plus ... 3M4G523W1G 1 Indium 1 Luminescent Agents 1 Nitrates 1 Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. 1 SOI2LOH54Z 1 Silicon 1 Silver 1 WOP84073FA 1 Z4152N8IUI 1 Zinc Oxide 1 indium nitrate 1 moins ...
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  1. 1
    Nano-Newton transverse force sensor using a vertical GaN nanowire based on the piezotronic effect
    Nano-Newton transverse force sensor using a vertical GaN nanowire based on the piezotronic effect
    par Zhou, Yu Sheng
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2013)

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  2. 2
    Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface
    Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface
    par Akasaka, Tetsuya
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2012)

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  3. 3
    Single ZnO nanowire/p-type GaN heterojunctions for photovoltaic devices and UV light-emitting diodes
    Single ZnO nanowire/p-type GaN heterojunctions for photovoltaic devices and UV light-emitting diodes
    par Bie, Ya-Qing
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2010)

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