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switching mechanisms
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3
switching mechanisms
81AH48963U
1
Disulfides
1
Molybdenum
1
Sb2Te3/GeTe superlattice
1
ZC8B4P503V
1
plus ...
artificial synapses
1
atomic layer deposition
1
data compression
1
data structuring
1
grain-boundary engineering
1
in‐sensor computing
1
low energy consumption
1
molybdenum disulfide
1
monolayer molybdenum disulfide
1
optoelectronic devices
1
oriented growth
1
phase-change memory
1
switching current density
1
vertical devices
1
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1
Optoelectronic Devices for In-Sensor Computing
par
Ren, Qinqi
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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2
Atomic Layer Deposition of Sb2 Te3 /GeTe Superlattice Film and Its Melt-Quenching-Free Phase-Transition Mechanism for Phase-Change Memory
par
Yoo, Chanyoung
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2022)
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3
Grain-Boundary Engineering of Monolayer MoS2 for Energy-Efficient Lateral Synaptic Devices
par
Wang, Xuewen
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2021)
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