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1
MBE growth
high-mobility filed effect transistor
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low-temperature growth
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tellurium
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transfer-free device fabrication
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1
High-Mobility Helical Tellurium Field-Effect Transistors Enabled by Transfer-Free, Low-Temperature Direct Growth
par
Zhou, Guanyu
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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