© 2024 Wiley‐VCH GmbH.
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 23. Dez., Seite e2414100
|
|---|
| 1. Verfasser: |
Zhan, Li
(VerfasserIn) |
|---|
| Weitere Verfasser: |
Pei, Xudong,
Tang, Jiachen,
Li, Shuaixing,
Li, Shuo,
Li, Yuan,
Li, Lintao,
Wan, Changjin,
Deng, Yu,
Shi, Yi,
Hao, Yufeng,
Li, Songlin |
|---|
| Format: | Online-Aufsatz
|
|---|
| Sprache: | English |
|---|
| Veröffentlicht: |
2024
|
|---|
| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|
|---|
| Schlagworte: | Journal Article
Tungsten disulfide
field‐effect transistor
highly oriented
lattice vacancies
mobility |
|---|