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Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 23 vom: 05. Juni, Seite e2313461
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| 1. Verfasser: |
Yang, Wenshu
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Zhang, Kai,
Yuan, Wei,
Zhang, Lijun,
Qin, Chuanjiang,
Wang, Haibo |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2024
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
field‐effect transistors
hole mobility
ion migration
operational stability
tin‐based perovskite |
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