Nonvolatile Ferroelectric-Domain-Wall Memory Embedded in a Complex Topological Domain Structure

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 10 vom: 06. März, Seite e2107711
Auteur principal: Yang, Wenda (Auteur)
Autres auteurs: Tian, Guo, Fan, Hua, Zhao, Yue, Chen, Hongying, Zhang, Luyong, Wang, Yadong, Fan, Zhen, Hou, Zhipeng, Chen, Deyang, Gao, Jinwei, Zeng, Min, Lu, Xubing, Qin, Minghui, Gao, Xingsen, Liu, Jun-Ming
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2022
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article domain-wall memory ferroelectric domain walls polar topological domains