Band Structure Engineering of Interfacial Semiconductors Based on Atomically Thin Lead Iodide Crystals

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 17 vom: 12. Apr., Seite e1806562
Auteur principal: Sun, Yan (Auteur)
Autres auteurs: Zhou, Zishu, Huang, Zhen, Wu, Jiangbin, Zhou, Liujiang, Cheng, Yang, Liu, Jinqiu, Zhu, Chao, Yu, Maotao, Yu, Peng, Zhu, Wei, Liu, Yue, Zhou, Jian, Liu, Bowen, Xie, Hongguang, Cao, Yi, Li, Hai, Wang, Xinran, Liu, Kaihui, Wang, Xiaoyong, Wang, Jianpu, Wang, Lin, Huang, Wei
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2019
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D materials band alignment heterostructures interlayer interactions lead iodide