Highly stable transparent amorphous oxide semiconductor thin-film transistors having double-stacked active layers

Highly stable transparent amorphous oxide semiconductor thin-film transistors having double-stacked active layers

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 48 vom: 21. Dez., Seite 5512-6
1. Verfasser: Park, Jae Chul (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Sangwook, Kim, Sunil, Kim, Changjung, Song, Ihun, Park, Youngsoo, Jung, U-In, Kim, Dae Hwan, Lee, Jang-Sik
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Oxides Indium 045A6V3VFX Zinc Oxide SOI2LOH54Z Hafnium X71938L1DO
Beschreibung
Beschreibung:Date Completed 31.03.2011
Date Revised 30.09.2020
published: Print
Citation Status MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201002397