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    Artificial Optoelectronic Synapse Featuring Bidirectional Post-Synaptic Current for Compact and Energy-Efficient Neural Hardware
    Artificial Optoelectronic Synapse Featuring Bidirectional Post-Synaptic Current for Compact and Energy-Efficient Neural Hardware
    par Ahn, Hogeun
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2025)
    Autres auteurs: “...Oh, Saeyoung...”

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    Indirect-To-Direct Bandgap Crossover and Room-Temperature Valley Polarization of Multilayer MoS2 Achieved by Electrochemical Intercalation
    Indirect-To-Direct Bandgap Crossover and Room-Temperature Valley Polarization of Multilayer MoS2 Achieved by Electrochemical Intercalation
    par Jo, Min-Kyung
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2024)
    Autres auteurs: “...Oh, Saeyoung...”

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    Large Memory Window of van der Waals Heterostructure Devices Based on MOCVD-Grown 2D Layered Ge4 Se9
    Large Memory Window of van der Waals Heterostructure Devices Based on MOCVD-Grown 2D Layered Ge4 Se9
    par Noh, Gichang
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2022)
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Journal Article MoS2 brain‐inspired computing charge transfer germanium selenide hardware neural network, artificial synapse, artificial optoelectronic synapse, asymmetric metal contacts, van‐der‐Waals layered materials intercalation metal-organic chemical vapor deposition organic ion photoluminescence synaptic devices valley polarization van der Waals heterostructures
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