Boltzmann Switching MoS2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Enabled by Monolithic-Oxide-Gapped Metal Gates at the Schottky-Mott Limit

von Kim, Yeon Ho
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2024)

Large Memory Window of van der Waals Heterostructure Devices Based on MOCVD-Grown 2D Layered Ge4 Se9

von Noh, Gichang
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2022)